光デバイス工学
Photonic Devices
教授・酒井 士郎
2単位
目的
半導体の応用分野の一つである光半導体デバイスとそれを利用するシステムにわたって基本的知識を修得することを目的とする．
概要
この講義では，半導体を用いた色々な光デバイスについて講義する．ここで講義するデバイスは，半導体レーザ，半導体光検出器，及び半導体撮像デバイスである．まず最初，光デバイスの基礎となる半導体工学，次に光と半導体，最後に光デバイスを学ぶ．
要件
電気・電子材料，半導体工学，電気磁気学1を履修しておくことが望ましい．
目標
| 1. | 光半導体デバイスの物理の基礎知識を習得する． |
| 2. | 種々の発光，受光，撮像デバイスについて理解する． |
計画
| 1. | 孤立Si原子 |
| 2. | 半導体のバンド |
| 3. | 半導体における電子と正孔 |
| 4. | 半導体における光 |
| 5. | pn接合受光デバイス |
| 6. | PIN光ダイオード |
| 7. | なだれ光ダイオード |
| 8. | 中間試験 |
| 9. | 半導体における発光とLED |
| 10. | 半導体における光増幅 |
| 11. | 半導体レーザ |
| 12. | MOSデバイスの基礎 |
| 13. | MOSデバイスの応用 |
| 14. | CCD |
| 15. | この授業で習ったことの復習 |
| 16. | 試験 |
評価
試験60%，レポート40%で評価し，全体で60%以上で合格とする．
JABEE関連
(D)専門基礎40%，(E)専門分野(物性デバイス)60%
対象学生
開講コースと同学科の夜間主コース学生も履修可能
教科書
プリント
参考資料
末松，伊賀:光ファイバ通信入門，オーム社，2006
連絡先
酒井(E棟2階南 A-3, 088-656-7446, sakai@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)