電子デバイス工学
Semiconductor Device Physics
講師・敖 金平
2単位
目的
半導体電子デバイスの概要を紹介して理解させること.
概要
半導体の基礎から最新の半導体デバイスまで,分かりやすく解説します.バイポーラトランジスタ,電界効果トランジスタ,MOSダイオード,MOSトランジスタなどのデバイスの構造と動作原理を講義します.
キーワード
トランジスタ,MOS,CMOS,集積回路
注意
演習,試験には関数電卓持参のこと.
目標
1. | 半導体を用いた電子デバイス,特にトランジスタの動作,及びその応用について理解する. |
計画
1. | 受動素子 |
2. | PNダイオード |
3. | ショットキーダイオード |
4. | 理想MOS構造 |
5. | MOSダイオード |
6. | MOSトランジスタ構造 |
7. | MOSトランジスタ動作原理 |
8. | 電界効果トランジスタ |
9. | バイポーラトランジスタ動作原理 |
10. | バイポーラトランジスタの静特性 |
11. | 半導体ヘテロ構造 |
12. | 集積回路 |
13. | 集積回路の製造プロセス |
14. | パワーデバイス |
15. | CMOSとスケーリング則 |
16. | 期末テスト |
評価
平常点と学期末試験の比率は3:7とする.平常点は出席,授業中のクイズ,レポートの結果を総合して評価します.
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
松波弘之,吉本昌広著,共立出版「半導体デバイス」
参考資料
Physics of Semiconductor Devices, S.M.Sze and Kwok K. NG (John Wiley & Sons, third edition, 2007)
連絡先
敖(電気棟A-8, 088-656-7442, jpao@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
備考
「半導体工学」を履修していることが望ましい