電子デバイス工学
Semiconductor Device Physics
講師・敖 金平
2単位
目的
半導体電子デバイスの概要を紹介して理解させること．
概要
半導体の基礎から最新の半導体デバイスまで，分かりやすく解説します．バイポーラトランジスタ，電界効果トランジスタ，MOSダイオード，MOSトランジスタなどのデバイスの構造と動作原理を講義します．
キーワード
トランジスタ，MOS，CMOS，集積回路
注意
演習，試験には関数電卓持参のこと．
目標
| 1. | 半導体を用いた電子デバイス，特にトランジスタの動作，及びその応用について理解する． |
計画
| 1. | 受動素子 |
| 2. | PNダイオード |
| 3. | ショットキーダイオード |
| 4. | 理想MOS構造 |
| 5. | MOSダイオード |
| 6. | MOSトランジスタ構造 |
| 7. | MOSトランジスタ動作原理 |
| 8. | 電界効果トランジスタ |
| 9. | バイポーラトランジスタ動作原理 |
| 10. | バイポーラトランジスタの静特性 |
| 11. | 半導体ヘテロ構造 |
| 12. | 集積回路 |
| 13. | 集積回路の製造プロセス |
| 14. | パワーデバイス |
| 15. | CMOSとスケーリング則 |
| 16. | 期末テスト |
評価
平常点と学期末試験の比率は3:7とする．平常点は出席，授業中のクイズ，レポートの結果を総合して評価します．
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
松波弘之，吉本昌広著，共立出版「半導体デバイス」
参考資料
Physics of Semiconductor Devices, S.M.Sze and Kwok K. NG (John Wiley & Sons, third edition, 2007)
連絡先
敖(電気棟A-8, 088-656-7442, jpao@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
備考
「半導体工学」を履修していることが望ましい