電子デバイス特論
Advanced Theory of Electron Devices
形態
講義
目的
化合物半導体のにおける深い準位の影響を理解する
概要
VLSIデバイスや超高速電子デバイスの動作の基礎となる半導体デバイス物理について学ぶ．バンド図やフェルミ準位の概念を勉強した後，電子デバイス動作の基本となるキャリア輸送現象をはじめ，動作性能を制約する各種不安定現象の理論的な説明を行う．半導体材料としてはシリコン，GaAs，GaNを，デバイスとしてはMOSFET，HEMT，HBTなどを題材として扱う．
キーワード
バンド図，HEMT
目標
| 1. | 深い準位を含む非平衡状態のバンド図が描ける |
計画
| 1. | バンド図 |
| 2. | 電子輸送の熱力学 |
| 3. | 短チャネル効果 |
| 4. | 不純物準位 |
| 5. | 深い準位の挙動 |
| 6. | 半絶縁性基板 |
| 7. | ヘテロ接合トランジスタ |
| 8. | サイドゲート効果 |
| 9. | ドレインラグとDLTS |
| 10. | 表面準位とデバイスの耐圧 |
| 11. | まとめ |
| 12. | 中間試験 |
| 13. | ワイドギャップ半導体 |
| 14. | AlGaN/GaN HFET |
| 15. | まとめ |
| 16. | 試験 |
連絡先
大野(E棟2階南 A-7, 088-656-7438, ohno@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
敖(電気棟A-8, 088-656-7442, jpao@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
備考
国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．