電子回路
Electronic Circuits
教授・上田 哲史
2単位
目的
電子回路を構成するデバイスに関して物理的に解説し，電子回路の基本を習得する.
概要
半導体デバイスとしてバイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタ(FET)を説明する. 特に，使用頻度の高いMOS-FET，J-FETおよびガリウム·ひ素のMESFETの特性を詳細に解説する. これらの半導体デバイスを用いた電子回路を詳細に説明する. 電子回路として増幅回路，発振回路，演算回路，論理回路などが含まれる.
先行科目
要件
電気回路および演習，物理学(物性，電気磁気学，力学，熱力学，光学，量子力学)，数学(微分方程式，関数論，ベクトル，マトリックス，統計学，論理学)などの基礎学力を充分に備えていることが受講に際しての必要条件です．
注意
数学と物理の基礎知識は必要である．
目標
| 1. | エレクトロニクスおよびコンピュータのハードウエアとソフトウエアのバランスの良い思考ができるための基礎的な知識を習得し，これを数理的に展開し，構造的なシステムの設計ができ，これを表現することができる能力の獲得を到達目標とする． |
計画
| 1. | 電子回路の基礎·レポート |
| 2. | 半導体デバイスの基礎I(基本回路，固有抵抗，真性半導体，不純物半導体)·レポート |
| 3. | 半導体デバイスの基礎II(キャリア，電気伝導機構) |
| 4. | 半導体デバイスの基礎III(格子欠陥，PN接合) |
| 5. | 半導体デバイスの基礎IV(ダイオード)·小試験 |
| 6. | バイポーラ トランジスタI(増幅作用，動作原理) |
| 7. | バイポーラ トランジスタII(等価回路) |
| 8. | バイポーラ トランジスタIII(接地方法，周波数特性)·レポート |
| 9. | バイポーラ トランジスタIV(電流特性，命名法) |
| 10. | 中間試験 |
| 11. | 差動増幅回路I(特性，飽和特性) |
| 12. | 差動増幅回路II(特性の改善，定電流源)·レポート |
| 13. | 電界効果トランジスタI(分類，構造，動作原理)·小試験 |
| 14. | 電界効果トランジスタII(特徴，電気的特性) |
| 15. | 電子回路設計 |
| 16. | 定期試験 |
評価
講義中に行う中間試験および小試験と試験期間中に行う定期試験とレポートの結果を考慮し，受講姿勢にも配慮して成績を照合的に評価する. 再試験は行う.
JABEE合格
JABEEにはこの科目は必要である．
JABEE関連
本科目はJABEEと関連する．
対象学生
他学科，他学部学生も履修可能
教科書
赤松則男「エレクトロニクス回路」
参考資料
安藤和昭「パルス·ディジタル回路」
斉藤忠夫「電子回路入門」
連絡先
上田(AIT 507, 088-656-7501, tetsushi@ait.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
- オフィスアワー: 水曜日 13:00∼15:00
備考
| 1. | 3年生で学ぶ「集積回路工学」の基礎的知識を「電子回路」で習得する. 従って後程に学ぶ科目を理解するためには習得する必要がある. |
| 2. | 成績評価に対する平常点と試験の比率は4:6とする. 平常点には講義への参加状況，演習の回答及びレポートの提出状況と内容を含み，試験には小試験及び最終試験の成績を含む. |