結晶成長学特論
Advanced Lecture in Crystal Growth
教授・井上 哲夫
2単位
形態
講義
目的
光学素子として，結晶が機能を発現するには，高品質な結晶を作成する必要がある．そのためには結晶が成長する機構を理解し，それとの関連で育成技術を改良したり，開発する必要がある．本講義の目的は，各種の育成技術を理解させ，また高品質結晶の育成条件について理解させることである．
概要
各種環境相(融液，溶液，気相)から結晶が成長する機構について述べ，主たる光学結晶がどのようにして作成されるかを講義する．また光学結晶には高品質が要求されるのでそのための育成技術についてさらにエピタキシャル法による高品質単結晶膜の作成について講述する． 以上のように，この授業は工業に関する科目である．
キーワード
光学結晶，結晶育成技術，結晶完全性，エピタキシャル成長，結晶評価
先行科目
関連科目
目標
| 1. | 結晶の成長機構を理解させる |
| 2. | 各種の結晶育成方法について理解させる |
| 3. | 結晶育成条件と結晶の完全性との関連を理解させる |
計画
| 1. | エピタキシャル成長について(1)(真空エピタキシャル) |
| 2. | エピタキシャル成長について(2)(化学気相エピタキシャル) |
| 3. | エピタキシャル成長について3)(液層エピタキシャル) |
| 4. | 光学結晶(Ⅱ-Ⅵ化合物)の結晶成長 |
| 5. | Siの結晶成長(1) |
| 6. | Siの結晶成長(2) |
| 7. | 酸化物の結晶成長(1) |
| 8. | 酸化物の結晶成長(2) |
| 9. | 中間試験 |
| 10. | ハライドの結晶成長 |
| 11. | 格子欠陥(1) |
| 12. | 格子欠陥(2) |
| 13. | 結晶成長と格子欠陥導入機構 |
| 14. | 結晶の評価(1) |
| 15. | 結晶の評価(2) |
| 16. | 期末試験 |
評価
中間試験(40%)，期末試験(40%)，講義への取り組み状況(出席状況，質疑応答など)(20%)で評価する．
対象学生
他学科学生も履修可能
教科書
プリント
連絡先
井上(光棟310, 088-656-9416, inoue@opt.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
- オフィスアワー: 随時