半導体ナノテクノロジー特論
Advanced Lecture on Semiconductor Nanotechnology
形態
講義
目的
半導体ナノテクノロジーにより生み出される新規な特性についてその源となる基本的な物理概念とともに工学応用に対する課題を理解させる．
概要
半導体物理学，量子力学に基づき，ナノサイズの量子構造半導体の基本的な特徴を理解し，それらのデバイス応用における課題点を説明する．量子井戸構造，量子細線構造，量子ドット構造などの作製手法とそれらを使ったデバイスについて解説し，単一量子ドットの応用に向けた先端的研究や最近のナノテクノロジー研究の話題について述べる．
キーワード
ナノ量子構造，半導体ナノ物性，電子デバイス，光デバイス
要件
特になし
注意
特になし
目標
| 1. | 半導体ナノ構造の物性とそのデバイス応用を理解する． |
計画
| 1. | 半導体ナノ構造の特徴 |
| 2. | 量子閉じ込め構造の電子状態 |
| 3. | 超格子の電子物性 |
| 4. | 量子細線・量子井戸の作製方法 |
| 5. | ヘテロ界面の評価 |
| 6. | ナノ構造の評価法 |
| 7. | 超高速電子デバイス |
| 8. | 量子井戸の光学的性質 |
| 9. | 半導体レーザ |
| 10. | 量子効果デバイス |
| 11. | 量子ドットの作製法 |
| 12. | 量子ドットのデバイス応用 |
| 13. | 量子ナノ構造のデバイス応用 |
| 14. | 半導体ナノテクノロジーの最近の話題(1) |
| 15. | 半導体ナノテクノロジーの最近の話題(2) |
評価
レポートで評価
対象学生
関心のある学生は誰でも受講可．
教科書
特になし．
参考資料
低次元半導体の物理, J.H. デイヴィス(著)樺沢宇紀(訳), Springer
連絡先
井須(A224, 088-656-7670, t.isu@frc.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
- オフィスアワー: 火曜日-木曜日10:00-14:00
北田(A224, 088-656-7671, kitada@frc.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
- オフィスアワー: 月曜日10:00-14:00