半導体デバイス物理特論
Semiconductor Device Physics
教授・大野 泰夫
2単位
形態
講義および演習
目的
半導体デバイスの動作の基本となる物理と，そのデバイスの電気特性との関連を理解する．
概要
半導体デバイス，特に各種電子デバイス，トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理，微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果，デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について，その物理的原理から解説する．
キーワード
半導体，デバイス物理，トランジスタ
関連科目
光半導体デバイス特論，無機光機能材料論
目標
| 1. | 1. 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する．2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象，2次元電界分布効果を理解する．3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する． |
計画
| 1. | 結晶の特徴と記述法 |
| 2. | 結晶の対象要素と物質定数 1 |
| 3. | 結晶の対象要素と物質定数 2 |
| 4. | 結晶の光学的性質 1 |
| 5. | 結晶の光学的性質 2 |
| 6. | 電気光学効果と非線形光学効果 1 |
| 7. | 電気光学効果と非線形光学効果 2 |
| 8. | 圧電気現象 1 |
| 9. | 圧電気現象 2 |
| 10. | 結晶中の音波1 |
| 11. | 結晶中の音波2 |
| 12. | 結晶中の音と光 |
| 13. | 薄膜の作製法1(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着) |
| 14. | 薄膜の作製法2(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着) |
| 15. | 薄膜の諸性質(特徴，電気的光学的性質，機械的性質) |
| 16. | テスト |
評価
テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する．
再評価
再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう． 評価点の最高は79点とする． 第1回試験において，40点未満の場合は再受講とする．
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
小川智哉著，結晶工学の基礎，裳華房;権田俊一監修，薄膜作製応用ハンドブック，エヌ·ティー·エス
連絡先
大野(E棟2階南 A-7, 088-656-7438, ohno@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
富永(E棟2階南 A-6, 088-656-7439, tominaga@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
備考
国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．