電子デバイス
Semiconductor Device Physics
教授・大野 泰夫
2単位
目的
半導体電子デバイスの動作およびその原理を理解することを目的とする．
概要
まず電子デバイスの基本となる半導体の基礎的性質および各種接合·界面について解説する． その後，種々の電子デバイスの構造，動作原理，諸特性について述べる．
先行科目
要件
「半導体工学」を履修しておくこと．
目標
| 1. | バイポーラトランジスタの動作原理が理解できる |
| 2. | 電界効果トランジスタの動作原理が理解できる |
計画
| 1. | 半導体の基礎 |
| 2. | 半導体の電気伝導 |
| 3. | pn接合の直流特性 |
| 4. | pn接合の空乏層の解析および交流特性 |
| 5. | 金属-半導体界面 |
| 6. | 絶縁体-半導体界面 |
| 7. | バイポーラトランジスタの基本動作 |
| 8. | バイポーラトランジスタの諸特性 |
| 9. | ヘテロバイポーラトランジスタ |
| 10. | MOS型電界効果トランジスタ |
| 11. | 接合型電界効果トランジスタ |
| 12. | 集積回路 |
| 13. | メモリ，CCD |
| 14. | パワーデバイス |
| 15. | 予備日 |
| 16. | 定期試験 |
評価
到達目標が達成されているか試験75%，レポート25%で評価し，あわせて60%以上であれば合格とする
JABEE関連
(D)専門基礎30%，(E)専門分野(物性デバイス)70%
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
松波，吉本著「半導体デバイス」共立出版
参考資料
"Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981)
連絡先
大野(E棟2階南 A-7, 088-656-7438, ohno@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)