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フェムト秒レーザー照射による新奇物質相生成に関する研究
10兆分の1秒程度という極めて短い時間に強力な光を発することの できるフェムト秒レーザーを用い、青色発光ダイオードなどへの応用が 期待されているワイドバンドギャップ半導体の物性を制御する ことを目指しています。
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