2008年度 先端技術科学教育部 システム創生工学専攻 光システム工学コース 博士前期課程

光機能材料·光デバイス論1

Lecture in Optical Materials and Devices, Part 1

形態

講義

目的

光半導体材料工学や半導体光デバイスについて,最近の技術動向,研究動向を理解することを目的とする.

概要

光機能材料および光デバイスに関連する分野における最近の技術動向,研究動向を述べ,今後の展開がどのように期待されるかを講述する.この授業は工業に関する科目である.

キーワード

半導体,発光ダイオード,レーザダイオード

要件

学部生に対する半導体物性の授業内容程度の知識を有すること.

目標

1.窒化物半導体の特徴を理解できる.
2.半導体結晶成長技術,光デバイスプロセス技術の概要を理解できる.
3.最近の光デバイス技術動向,研究動向を理解できる.

計画

1.ガイダンス
2.光デバイスのための半導体材料
3.窒化物半導体の特徴
4.窒化物半導体デバイスの作製
5.発光ダイオードとレーザダイオードの原理
6.半導体発光デバイスの開発の歴史
7.高出力型発光ダイオードの開発の現状
8.紫外発光ダイオードの開発の現状
9.紫外および青色レーザダイオードの開発の現状
10.発光ダイオードの応用
11.レーザダイオードの応用
12.予備日

評価

積極性 40%,レポート60%

再評価

なし

教科書

なし

連絡先

福井(光棟208, 088-656-9410, fukui@opt.tokushima-u.ac(no-spam).jp)