2010年度 工学部 電気電子工学科 夜間主コース — [選択] 3年(後期)

電子デバイス工学

Semiconductor Device Physics

准教授・敖 金平

2単位

目的

半導体電子デバイスの概要を紹介して理解させること.

概要

半導体の基礎から最新の半導体デバイスまで,分かりやすく解説します.バイポーラトランジスタ,電界効果トランジスタ,MOSダイオード,MOSトランジスタなどのデバイスの構造と動作原理を講義します.

キーワード

トランジスタ,MOS,CMOS,集積回路

注意

演習,試験には関数電卓持参のこと.

目標

1.半導体を用いた電子デバイス,特にトランジスタの動作,及びその応用について理解する.

計画

1.受動素子
2.PNダイオード
3.ショットキーダイオード
4.理想MOS構造
5.MOSダイオード
6.MOSトランジスタ構造
7.MOSトランジスタ動作原理
8.電界効果トランジスタ
9.バイポーラトランジスタ動作原理
10.バイポーラトランジスタの静特性
11.半導体ヘテロ構造
12.集積回路
13.集積回路の製造プロセス
14.パワーデバイス
15.CMOSとスケーリング則
16.期末テスト

評価

平常点30%と期末試験70%で評価する.平常点は授業中のクイズ,レポートの結果を総合して評価する.

対象学生

開講コース学生のみ履修可能

教科書

松波弘之,吉本昌広著,共立出版「半導体デバイス」

参考資料

Semiconductor Devices, Physics and Technology. S. M. Sze (John Wiley & Sons, Inc. 2nd edition, 2001).

連絡先

敖(電気棟A-8, 088-656-7442, jpao@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)

備考

「半導体工学」を履修していることが必要