集積回路1
Integrated Circuit (I)
教授・大野 泰夫
2単位
目的
集積回路技術が産業として大きく発展した技術的背景の理解と共に，プロセス設計，デバイス設計に必要な基礎知識の習得を目標とする．
概要
MOS集積回路作製の基本的プロセス，酸化·拡散などの要素プロセス技術，MOSトランジスタ特性を理解する上で重要なMOSダイオード特性，しきい値電圧，グラジュアルチャネル近似，配線や微細化の限界などについて講義と演習を行う．
関連科目
注意
演習，試験では関数電卓持参のこと．
目標
| 1. | MOSFET動作原理，グラジュアルチャネル近似，スケーリング則の理解 |
計画
| 1. | ICビジネス |
| 2. | プレーナテクノロジ |
| 3. | 要素プロセス |
| 4. | MOSダイオード特性 |
| 5. | しきい値 |
| 6. | 演習 |
| 7. | 半導体での電流輸送 |
| 8. | MOSトランジスタ |
| 9. | グラジュアルチャネル近似 |
| 10. | 回路形式とトランジスタ特性 |
| 11. | 演習 |
| 12. | CMOS |
| 13. | スケーリング則 |
| 14. | LSIにおける配線の問題 |
| 15. | 微細化極限 |
| 16. | 最終試験 |
評価
講義に対する理解の評価は，平常点(レポートの提出状況·内容)20%，試験80%により評価する．
JABEE関連
(D)専門基礎30%，(E)[主目標]専門分野(物性デバイス)70%
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
未定
連絡先
大野(E棟2階南 A-7, 088-656-7438, ohno@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)
備考
| 1. | 本科目は同学期に開講される「集積回路2」と連携して講義·演習を行う．「半導体工学」，「電子デバイス」を受講していることが望ましい． |
| 2. | 授業を受ける際には，2時間の授業時間毎に2時間の予習と2時間の復習をしたうえで授業を受けることが，授業の理解と単位取得のために必要である． |