半導体工学
Semiconductor Physics
准教授・敖 金平
2単位
目的
半導体工学の概要を紹介して理解させること
概要
この授業では半導体工学の基礎事項を解説する．半導体材料の基礎物性とpn接合ダイオードおよび金属-半導体接触における基礎事項を取り扱う．
キーワード
半導体のバンド理論，真性半導体，外因性半導体，PN接合，ショットキー接合
要件
本科目開始以前の必修科目を受講し，かつ十分理解していること．
注意
本科目を履修後は，「電子デバイス」，「集積回路1，2」，「光デバイス工学」を順次履修することを想定している．
目標
| 1. | 半導体の帯理論について説明できる |
| 2. | 半導体の電気伝導について説明できる |
| 3. | PN接合の基礎について説明できる |
| 4. | 金属-半導体接触の基礎について説明できる |
計画
| 1. | バンド理論の概略 |
| 2. | 半導体中のキャリア濃度 |
| 3. | 真性半導体 |
| 4. | 外因性半導体 |
| 5. | フェルミ準位 |
| 6. | 半導体中の電気伝導 |
| 7. | 半導体電気特性の評価 |
| 8. | PN接合のエネルギー帯図 |
| 9. | PN接合の電流-電圧特性 |
| 10. | PN接合の空乏層解析 |
| 11. | PN接合の評価 |
| 12. | 金属-半導体接触のエネルギー帯図 |
| 13. | ショットキー接合の電流-電圧特性 |
| 14. | ショットキー接合の空乏層解析 |
| 15. | 金属-半導体接触の評価 |
| 16. | 期末テスト |
評価
平常点30%と期末試験70%で評価する．平常点は演習，レポートの結果を総合して評価する．60%であれば合格する．
JABEE関連
(D)[主目標]専門基礎70%，(E)専門分野30%
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
「新版基礎半導体工学」國岡昭夫，上村喜一著，朝倉出版，ISBN978-4-254-22138-1
参考資料
Semiconductor Devices, Physics and Technology. S. M. Sze (John Wiley & Sons, Inc. 2nd edition, 2001).
連絡先
敖(電気棟A-8, 088-656-7442, jpao@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)