電子デバイス
Semiconductor Device Physics
教授・大野 泰夫
2単位
目的
半導体電子デバイスの動作およびその原理を理解することを目的とする．
概要
まず電子デバイスの基本となる半導体の基礎的性質および各種接合·界面について解説する． その後，種々の電子デバイスの構造，動作原理，諸特性について述べる．
先行科目
要件
「半導体工学」を履修しておくこと．
目標
| 1. | バンド図が理解できる |
| 2. | pnダイオード，MOSトランジスタの動作原理が理解できる |
計画
| 1. | 半導体デバイスとは |
| 2. | 電子と正孔 |
| 3. | マクスウエルボルツマン分布 |
| 4. | バンド図とフェルミ準位 |
| 5. | キャリアの運動 |
| 6. | 緩和時間近似とアインシュタインの関係 |
| 7. | 擬フェルミ準位 |
| 8. | 中間テスト |
| 9. | pn接合 |
| 10. | pn接合での空乏層 |
| 11. | pn接合の電流電圧特性 |
| 12. | バイポーラトランジスタ |
| 13. | MOSダイオード |
| 14. | MOSトランジスタ |
| 15. | その他の電子デバイス |
| 16. | 季末テスト |
評価
到達目標が達成されているか中間試験，季末試験で評価し60%以上であれば合格とする
JABEE関連
(D)専門基礎30%，(E)専門分野(物性デバイス)70%
対象学生
開講コース学生のみ履修可能
教科書
冨澤一隆，山口憲 「半導体デバイス」丸善
参考資料
"Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981)
連絡先
大野(E棟2階南 A-7, 088-656-7438, ohno@ee.tokushima-u.ac(no-spam).jp)